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NTMS4917N
TYPICAL CHARACTERISTICS
1500
1400
1300
1200
1100
1000
900
800
700
600
500
400
300
200
100
0
0
5
10
15
C iss
C oss
C rss
20
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
25
30
10
8
6
4
2
0
0
Q gs
Q1
5
Q gd
Q2
10
QT
15
V DS
20
V GS = 10 V
I D = 7.5 A
T J = 25 ° C
25
30
1000
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
2.0
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source and
Drain ? to ? Source Voltage vs. Total Charge
100
V GS = 10 V
I D = 1 A
V DD = 15 V
t d(off)
t f
1.5
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
t r
1.0
10
t d(on)
0.5
1
1
10
100
0
0.50
0.55
0.60
0.65
0.70
0.75
0.80
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
1000
100
10
1
Single Pulse
T C = 25 ° C
10 m s
100 m s
1 ms
10 ms
35
30
25
20
15
I D = 8 A
10
0.1
0.01
0.01
0.1
R DS(on) Limit
Thermal Limit
Package Limit
1
10
DC
100
5
0
25
50
75
100
125
150
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
4
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy vs.
Starting Junction Temperature
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